Оборудование Baco, Dungs, Fanuc, IEK, Keyence, Semikron
-
AC-DC Power Supply
-
Driver ICs
-
Logic ICs
-
Optocouplers
-
PMIC - Power Management ICs
-
PMIC-Power Management ICs
-
PvP Медиум
-
PvP Оптимальная
-
Sensors
-
Switch ICs
-
Автоматизация
-
Автоматизация зданий
-
Автоматизация и электродвигатели
-
Автоматические выключатели
-
Аксессуары для панелей управления
-
Асинхронные электрические двигатели
-
Балансировочные клапаны
-
Бесконтактные датчики положения объекта
-
Блок
-
Блок питания
-
Блоки питания
-
Блоки питания 24 В для датчиков
-
Вентилятор
-
Вентиляторы
-
Встроенные решения
-
Выключатели
-
Датчик
-
Датчики
-
Датчики и переключатели
-
Датчики перемещений и расстояния
-
Датчики уровня
-
Кабель
-
Кнопка
-
Колодка
-
Коммутатор
-
Комплект ремонтный
-
Конденсатор
-
Контакт
-
Контактор
-
Контроллер
-
Корпуса
-
Крепление
-
Лампа сигнальная
-
Микропереключатель
-
Микросхема
-
Модуль
-
Монтажный блок
-
Направляющая
-
Панель
-
Переключатель
-
Переходник
-
ПК промышленный
-
Плата
-
Пневмоцилиндр
-
Предохранитель
-
Преобразователь
-
Привод
-
Профильная шина
-
Процессор
-
Пульт управления
-
Пускатель
-
Радиатор
-
Разъем
-
Распределитель
-
Регулятор
-
Редуктор
-
Резисторы
-
Реле
-
Розетка
-
Рубильник
-
Сервомотор
-
Сервопривод
-
Слайдер
-
Соединитель
-
Счетчик
-
Таймер
-
Трансформатор
-
Устройство плавного пуска
-
Фильтр
-
Шасси
-
Шина профильная
-
Шкаф монтажный
-
Штуцер
SKKT72B16E Модуль тиристорный Semikron. Конструкция диода тиристорного модуля, два последовательных диода. Обратное напряжение макс. 1,6кВ. Прямой ток..
SKKT92/12E Модуль Semikron имеет характеристики: Серия: skkt. Количество тиристоров 2 Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение,1200 В. Макси..
SKM150GB12T4 Модуль силовой Semikron. Структура двойной полумост. Максимальное напряжение КЭ 1200 В. Максимальный ток КЭ при 25°C 150 A. Рабочая темпе..
SKM200GB125D Модуль Semikron. Отличительные особенности: МОП-вход (управляемый напряжением) N-канальная гомогенная кремниевая структура Корпус с малой..
SKNH 56/16E Модуль тиристорный Semikron, Тип модуля диодно-тиристорный, Конструкция диода: двойной, общий анод, Обратное напряжение макс.: 1,6кВ, Корп..